马来西亚主食吃什么
德国的研究人员报告说，在分子束外延 （MBE） 期间使用的表面平滑技术提高了砷化铟 （InAs） 量子阱 （QW） 在砷化镓 （GaAs） 衬底上的迁移率，特别是在低于 120K 的低温下 [A. Aleksandrova et al， Appl. Phys. Lett.， v126， p232109， 2025]。来自柏林洪堡大学、Institut Kurz GmbH 和 Paul-Drude-Institut für Festk?rperelektronik 的团队评论道：“随着表面平滑的引
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GaAs InAs 量子阱 迁移率
介绍了一款满足于5G通信发展要求，工作频率高增益，高线性度，高三阶交调点的射频放大器的设计。采用砷化镓异质结晶体管（GaAs HBT）工艺，基于达林顿结构进行设计。在原有结构基础上，添加了偏置结构，一方面提高了放大器工作状态的线性度，提高了三阶交调点指标；另一方面保证晶体管工作电流在-55℃，125℃工作状态下保持稳定。放大器能够工作在10 MHz~4 GHz，输出三阶交调点达到40 dBm，线性度高，适用于5G通信信号处理系统。
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202306 射频放大器 GaAs HBT 三阶交调点 高线性度
摘要：针对WIFI 6E频段的设备需求，设计了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的宽带砷化镓异质结双极型晶体
管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器为三级放大拓扑结构，采用自适应偏置电路结构解决HBT晶体管在
大功率输入下偏置点变化及自热效应引起增益及线性度恶化的问题。测试结果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz频段
内，功率放大器增益＞27?dB，输出饱和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面积：1.24?mm×1.27?mm。关键词：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
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202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
在经历2016年相对平稳的一年之后，2017年RF GaAs设备市场收益增长了超过7%。尽管GaAs设备被应用在各种商业和国防应用中，但无线市场仍然是该技术的主要用户。 移动手机将继续定义收益轨迹，但新兴的5G网络部署将有助于未来的增长。 Strategy Analytics高级半导体应用(ASA)服务最新发布的研究报告《RF GaAs设备行业预测：2017年 - 2022年》预测，RF GaAs收益将在预测期结束时突破90亿美元的里程碑。 Strategy Analytics高级半导体应用(ASA
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RF GaAs
Analog?Devices,?Inc.?今日宣布收购位于美国加利福尼亚州Santa?Rosa的OneTree?Microdevices公司。ADI公司是业界领先的混合信号解决方案供应商，提供从数据转换器、时钟到控制/电源调节等电缆接入解决方案。OneTree?Microdevices的GaAs和GaN放大器具有业内最佳的线性度、输出功率和效率，收购该公司及产品组合后，使ADI公司能够支持下一代电缆接入网络的整个信号链。该笔交易的财务条款未予
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ADI GaAs
美国高通(Qualcomm)宣布推出一系列全面性的射频前端(RFFE)解决方案，包括首度推出砷化镓(GaAs)多模功率放大器(MMPA)模块，与首款支持载波聚合(Carrier Aggregation，CA)的动态天线调谐解决方案。
稳懋月合并营收
据了解，高通为抢攻GaAs的功率放大器市场大饼已扩大委外，台湾GaAs晶圆代工厂稳懋勇夺代工大单。 稳懋是全球最大GaAs晶圆代工厂，多数智能手机内建PA或RF(射频)组件皆由稳懋代工。 法人表示，稳懋近期股价表现强
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高通 GaAs
由哥伦比亚大学物理学助理教授Cory Dean，弗吉尼亚大学电气和计算机工程教授Avik Ghosh以及哥伦比亚大学Wang Fong-Jen名誉工程教授James Hone领导的一个团队，第一次直接观察到了在电子通过导电材料中两个区域之间的边界时发生了负折射。这种效应在2007年首次被预测，但一直以来都难以从实验上来证实。研究人员现在能够在石墨烯中观察到了这种效应，证明在原子级别的厚度的材料中，电子表现得像光线一样，可以通过透镜和棱镜等光学器件进行操纵。这项发表9月30日的《科学》杂志上的研究结果可
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石墨烯 GaAs
5G已经成为通信领域里的重点研究对象，5G 标淮引爆全球群英战，美国率先完成 5G 频谱分配，在 5G 标淮制定中谁掌握话语权，将会在新一代移动通信技术革命中占据先机。而随着2020年5G逐渐步入商用，使物联网逐渐成为现实；以及国防信息化推进加速，化合物半导体将来爆发。
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5G GaAs
当前，全球半导体产业正处于深度变革，化合物半导体成为产业发展新的关注点，我国应加紧产业布局，抢占发展的主动权。
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GaAs GaN
瑞典隆德4月22日，在一项针对太阳能的重大突破技术上，瑞典的先进材料新兴公司Sol Voltaics AB已经证明其纳米线技术在薄膜上取得了校准和定向的成功。此项成就彰显太阳能纳米线制造迄今最重要的技术里程碑，为光伏(PV)模组实现27%及更高的转换效率铺平了道路—此举将使现今的太阳能模组转换效率提升50%。 纳米线在太阳能发电上展现出了前景可期的特性，但由于高深宽比及材料特性却使纳米线非常难以校准。通过在标准尺寸晶圆上以厘米级控制纳米线的校准和定向，Sol Volta
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GaAs 模組
本文介绍了一款用于无线局域网802.11n的10W功率放大芯片。该芯片具有高功率、高增益、高效率和高集成度的特点，并且使用方便。芯片采用GaAs HBT技术，芯片面积仅为10mm×10mm。功率放大器采用了热分流式结构，饱和输出功率可达41dBm，功率附加效率达到40%，功率增益为38dB。此外芯片内部设计了50欧姆的输入输出匹配电路与片内ESD保护电路，方便用户安全使用。
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功率放大器 802.11n GaAs HBT 热分流 201604
硅基GaN潜力大
近日，MACOM在京召开新闻发布会，MACOM全球销售高级副总裁黄东铉语出惊人，“由MACOM发明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大为降低，将取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也将取代GaA和LDMOS的大部分市场。”
图1 GaN的巨大潜力
如图1，左图绿饼是目前GaN的市场份额;如果把绿饼看成一张饼，就变成右图，右图的绿饼是目前GaN的市场，而未来潜在GaN射频是占绝大部分的蓝海。
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GaAs GaN
根据StrategyAnalytics高端半导体应用(ASA)电子数据表模型和GaAs器件预测与前景展望报告显示，手机终端中砷化镓的应用仍然是GaAs器件增长的主要驱动力，GaAs器件市场继2014年创下射频器件收入记录后，有望在今年突破70亿美元大关，预计到2019年总收入将飙升至峰值80亿美元。报告提到，虽然价格侵蚀与技术竞争将削减其增长速度，但是GaAs器件收入将继续保持增长的势头。
报告得出结论，无线应用仍然是GaAs器件的主要市场，占据了总额的约80%。其中,无线应用中的手机终端占据了
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GaAs 射频器
0 引言
随着无线通信的快速发展和广泛普及，无线系统标准对收发机的性能要求越来越高。功率放大器作为发射机的主要组成部分，其指标决定着发射机的性能，如效率 决定着整机功耗，线性度决定着整机的动态范围，谐波分量大小又是发射机线性度的度量。传统的功率放大器为了获得较高效率，功放管通常会工作于饱和状态，这 时将有大量的谐波分量产生。如果不对谐波分量加以回收和抑制，这不单会造成能量的浪费，降低了其效率，还会对其他信道的信号造成干扰。
通常功率放大器为了获得较高的效率和较低的谐波分量都使得功率放大器工
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功率放大器 GaAs
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